前不久，台积IBM公布了2nm技术路线，电n得重让人倍感振奋。进展极限虽然摩尔定律速度放缓，硅芯但硅晶片微缩的物理前景依然广阔。

不过，有办2nm之后就是台积1.5nm、1nm，电n得重硅片触及物理极限。进展极限

日前，硅芯台大、物理台积电和麻省理工共同发布研究成果，有办首度提出利用半金属Bi作为二维材料的绝地求生黑号台积接触电极。它可以大幅降降低电阻并提高电流，电n得重使其效能媲美硅材料，进展极限有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。

论文中写道，目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm，单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限，效能无法逐年显著提升。此前，二维材料被业内寄予厚望，却始终掣肘于高电阻、低电流等问题。绝地求生辅助

此次三方合作中，麻省理工是半金属铋电极发现者，台积电将铋（Bi）沉积制程进行优化，台大团队运用氦离子束微影系统（Helium-ion beam lithography）将元件通道成功缩小至纳米尺寸，终于大功告成，耗时长达一年半的时间。

4月下旬的时候台积电更新了其制程工艺路线图，称其4纳米工艺芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段，并于2022年实现量产；3纳米产品预计在2022年下半年投产， 2纳米工艺正在开发中。